Magnetorresistencia

La magnetorresistencia es una propiedad que tienen ciertos materiales de variar su resistencia eléctrica cuando son sometidas a un campo magnético.

Este efecto fue descubierto por William Thomson en 1857, aunque no fue capaz de disminuir la resistencia en más de un 5 % (hoy en día se llega hasta al 600 %).[cita requerida]

Las investigaciones recientes han permitido descubrir materiales que presentanefecto GMR (giant magneto-resistance:, ‘magneto-resistencia gigante’),efecto CMR (colossal magneto-resistance: ‘magnetorresistencia colosal’) yefecto TMR (tunnel magneto-resistance: ‘magnetorresistencia de túnel’).

Tanto la MR como la GMR se basan en el espín de los electrones y por eso forman parte de la espintrónica.

Las computadoras actuales hacen uso de esta propiedad. Los discos duros utilizan bien magnetorresistencia, bien magnetorresistencia gigante. Las cabezas lectoras de los discos duros están compuestas por un grupo de elementos tal que su resistencia eléctrica depende del campo magnético.[1]​Los “bits” en un disco duro se guardan como un pequeño imán. La cabeza de lectura eléctrica tiene una resistencia eléctrica (MR) que varía cuando pasa por encima del “pequeño imán” que es un bit. Por tanto, cuando un bit pasa por debajo de la cabeza lectora hay una variación de la resistencia que puede detectarse fácilmente.

  • referencias

Referencias

  1. Pablo Antonio Mascaró Rivera, Optimización de magnetorresistencia y efecto hall en películas magnéticas., p. 31, consultado el 29 de julio de 2018